型号:  ZXM61N02FTC

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  10,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  1.7A

Rds（最大）@ ID，VGS：  180 mOhm @ 930mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  700mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.4nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  160pF @ 15V

功率 - 最大：  625mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3SOT-23

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  1.7 A

RDS -于：  180@4.5V mOhm

最大门源电压：  ±12 V

典型导通延迟时间：  2.4 ns

典型上升时间：  4.2 ns

典型关闭延迟时间：  7.8 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±12

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  806

最大漏源电压：  20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  180@4.5V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOT-23

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  3.04(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1.02(Max)

最大连续漏极电流：  1.7

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  1.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  700mV @ 250µA

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  180 mOhm @ 930mA, 4.5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  625mW

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  160pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.4nC @ 4.5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  10000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 12 V

连续漏极电流：  1.7 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  180 mOhms

功率耗散：  625 mW

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  4.2 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  20 V