型号:  ZXM61P02FTC

功能描述:   MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  10,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  900mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  600 mOhm @ 610mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  700mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.5nc @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  150pF @ 15V

功率 - 最大：  625mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  900mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  700mV @ 250µA

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  600 mOhm @ 610mA, 4.5V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  625mW

标准包装：  10,000

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  150pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.5nC @ 4.5V