型号: ZXM62N02E6TC
功能描述: MOSFET 20V N Chnl HDMOS
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 3.2 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
Pd-功率耗散: 1.7 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-6
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 10.4 ns
上升时间: 10.4 ns
典型关闭延迟时间: 16.9 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
联系人：陈敏
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联系人：蔡经理，张小姐
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