型号:  ZXM62N03E6TA

功能描述:   MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.2A

Rds（最大）@ ID，VGS：  110 mOhm @ 2.2A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  9.6nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  380pF @ 25V

功率 - 最大：  1.1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6

供应商器件封装：  SOT-23-6

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3.2A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

封装/外壳：  SOT-23-6

供应商设备封装：  SOT-23-6

其他名称：  ZXM62N03E6DKR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  110 mOhm @ 2.2A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.1W

标准包装：  1

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  380pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  9.6nC @ 10V