型号: ZXM62P02E6TC
功能描述: MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Diodes Incorporated
Id-连续漏极电流: - 2.3 A
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 375 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-6
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain
下降时间: 15.4 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15.4 ns
工厂包装数量: 10000
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 4.1 ns
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：肖小姐
电话：13590450597
Q Q:
联系人：周顺
电话：13617216618
Q Q:
