型号:  ZXM62P03E6TC

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

Status：  Active

包装：  6SOT-23

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  1.5 A

RDS -于：  230@4.5V mOhm

最大门源电压：  ±12 V

典型导通延迟时间：  2.8 ns

典型上升时间：  6.4 ns

典型关闭延迟时间：  13.9 ns

典型下降时间：  10.3 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  1.5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

封装/外壳：  SOT-23-6

供应商设备封装：  SOT-23-6

其他名称：  ZXM62P03E6TCDI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  230 mOhm @ 800mA, 4.5V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  625mW

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  330pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  10.2nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  10000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

配置：  Single Quad Drain

源极击穿电压：  +/- 12 V

连续漏极电流：  1.5 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  230 mOhms

功率耗散：  625 mW

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  6.4 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  6.4 ns