型号: ZXM62N03E6TC
功能描述: MOSFET 30V N Chnl HDMOS
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 3.2 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-6
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain
下降时间: 5.6 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 5.6 ns
典型关闭延迟时间: 11.7 ns
典型接通延迟时间: 2.9 ns
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