型号:  ZXM64P035L3

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 35V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  35V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  75 mOhm @ 2.4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  46nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  825pF @ 25V

功率 - 最大：  1.5W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220-3

包装材料 ：  Bulk

包装：  3TO-220

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  35 V

最大连续漏极电流：  12 A

RDS -于：  75@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  4.4 ns

典型上升时间：  6.2 ns

典型关闭延迟时间：  40 ns

典型下降时间：  29.2 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  10.66

PCB：  3

最大功率耗散：  20000

最大漏源电压：  35

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  75@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TO-220

标准包装名称：  TO-220

最高工作温度：  150

包装长度：  16.51

引脚数：  3

包装高度：  4.82

最大连续漏极电流：  12

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

FET特点：  Standard

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3.3A (Ta), 12A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  TO-220-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  75 mOhm @ 2.4A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.5W

漏极至源极电压（Vdss）：  35V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  825pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  46nC @ 10V

封装/外壳：  TO-220-3

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  - 12 A

安装风格：  Through Hole

RDS（ON）：  105 mOhms

功率耗散：  20 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  TO-220

上升时间：  6.2 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 35 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  29.2 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.075 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-220

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military