型号:  ZXM66N02N8TA

功能描述:   MOSFET N-CHAN HD 20V 8-SOIC

制造商:  Diodes/Zetex

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  1

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  9A

Rds（最大）@ ID，VGS：  15 mOhm @ 4.1A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  700mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  -

功率 - 最大：  2.5W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SO

包装材料 ：  

FET特点：  Standard

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  9A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  700mV @ 250µA

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商设备封装：  8-SO

其他名称：  ZXM66N02N8DKR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  15 mOhm @ 4.1A, 4.5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2.5W

标准包装：  1

漏极至源极电压（Vdss）：  20V