型号: ZXM66P03N8TC
功能描述: MOSFET 30V P Chnl HDMOS
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
商标: Diodes Incorporated
Id-连续漏极电流: - 7.9 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.56 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 16.3 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 16.3 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 94.6 ns
典型接通延迟时间: 7.6 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
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联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
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联系人：杨先生
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联系人：梁小姐
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联系人：杨柳
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联系人：陈嘉杰
Q Q:
