型号:  ZXMC3A16DN8TC

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/5.5A 8-Pin SOIC T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  N and P-Channel

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4.9A, 4.1A

Rds（最大）@ ID，VGS：  35 mOhm @ 9A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  17.5nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  796pF @ 25V

功率 - 最大：  1.25W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SOIC

渠道类型：  N|P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  6.4@N Channel|5.5@P Channel A

RDS -于：  35@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  3 ns

典型上升时间：  6.4 ns

典型关闭延迟时间：  21.6 ns

典型下降时间：  9.4 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  4(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  2100

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  35@10V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOIC

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

包装长度：  5(Max)

引脚数：  8

包装高度：  1.5(Max)

最大连续漏极电流：  6.4@N Channel|5.5@P Channel

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

单位包：  2500

最小起订量：  2500

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  4.9A, 4.1A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SOP

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  35 mOhm @ 9A, 10V

FET型：  N and P-Channel

功率 - 最大：  1.25W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  796pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  17.5nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  ZXMC3A16DN8TCCT

工厂包装数量：  2500

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N and P-Channel

配置：  Dual Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  + 6.4, - 5.4 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  35 mOhms

功率耗散：  2.1 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOIC-8

上升时间：  6.4 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  +/- 30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  9.4 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.035 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOIC

极性：  N/P

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military