型号: ZXMC3A17DN8
功能描述: MOSFET N and P Channel
制造商: Diodes Inc.
Status： Active
工厂包装数量： 500
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N and P-Channel
配置： Dual Dual Drain
源极击穿电压： +/- 20 V
连续漏极电流： 5.4 A
安装风格： SMD/SMT
RDS（ON）： 65 mOhms
封装： Reel
功率耗散： 1.25 W
最低工作温度： - 55 C
封装/外壳： SO-8
典型关闭延迟时间： 16 ns at N Channel, 29.2 ns at P Channel
上升时间： 6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
最高工作温度： + 150 C
漏源击穿电压： 30 V
RoHS： RoHS Compliant
下降时间： 6.4 ns at N Channel, 2.9 ns at P Channel
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