型号:  ZXMC3A18DN8TA

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.6A/6.3A 8-Pin SOIC T/R

制造商:  diodes, inc

标准包装：  500

FET 型 ：  N and P-Channel

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  5.8A, 4.8A

Rds（最大）@ ID，VGS：  25 mOhm @ 5.8A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  36nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1800pF @ 25V

功率 - 最大：  1.25W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 )

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

包装：  8SOIC

渠道类型：  N|P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  7.6@N Channel|6.3@P Channel A

RDS -于：  25@10V@N Channel|35@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  5.5 ns

典型上升时间：  8.7@N Channel|9.5@P Channel ns

典型关闭延迟时间：  33 ns

典型下降时间：  8.5@N Channel|38@P Channel ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

单位包：  500

最小起订量：  500

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  5.8A, 4.8A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SOP

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  25 mOhm @ 5.8A, 10V

FET型：  N and P-Channel

功率 - 最大：  1.25W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1800pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  36nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  ZXMC3A18DN8CT

工厂包装数量：  500

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N and P-Channel

配置：  Dual Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  7.6 A, - 6.3 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  25 mOhms

功率耗散：  2.1 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOIC-8

上升时间：  8.7 ns, 9.5 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V