型号:  ZXMC3F31DN8TA

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R

制造商:  diodes, inc

包装：  8SO

渠道类型：  N|P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  7.3@N Channel|5.3@P Channel A

RDS -于：  24@10V@N Channel|45@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  2.9@N Channel|1.9@P Channel ns

典型上升时间：  3.3@N Channel|3@P Channel ns

典型关闭延迟时间：  16@N Channel|30@P Channel ns

典型下降时间：  8@N Channel|21@P Channel ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  4(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  2100

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  24@10V@N Channel|45@10V@P Channel

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SO

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

包装长度：  5(Max)

引脚数：  8

包装高度：  1.5(Max)

最大连续漏极电流：  7.3@N Channel|5.3@P Channel

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

P（ TOT ）：  1.25W

匹配代码：  ZXMC3F31DN8TA

LogicLevel：  YES

单位包：  1000

标准的提前期：  22 weeks

最小起订量：  1000

Q（克）：  12.9nC

LLRDS （上）：  0.039Ohm

汽车：  NO

LLRDS （上）在：  4.5V

我（D ）：  7.3A

V（ DS ）：  30V

技术：  TrenchFET

的RDS（on ） at10V：  0.024Ohm

无铅Defin：  RoHS-conform

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  6.8A (Ta), 4.9A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SO

其他名称：  ZXMC3F31DN8TADI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  24 mOhm @ 7A, 10V

FET型：  N and P-Channel Complementary

功率 - 最大：  1.8W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  608pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  12.9nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

RoHS：  RoHS Compliant

连续漏极电流：  7.3/5.3 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  2.1 W

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SO

极性：  N/P

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military