型号:  ZXMC10A816N8TC

功能描述:  MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  2.1 A, 2.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  230 mOhms, 235 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.7 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  9.2 nC, 16.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.8 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.5 mm

长度:  4.95 mm

系列:  ZXMC10A8

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  3.95 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  4.8 S, 4.7 S

下降时间:  5 ns, 12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.1 ns, 5.2 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12.1 ns, 20 ns

典型接通延迟时间:  2.9 ns, 4.3 ns

单位重量:  74 mg