型号: ZXMD63N02XTA
功能描述: DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMD63N02XTA, 2.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
制造商: DiodesZetex
通道类型: N
最大连续漏极电流: 2.4 A
最大漏源电压: 20 V
最大漏源电阻值: 130 m0hms
最大栅阈值电压: 3V
最大栅源电压: -12 V、+12 V
封装类型: MSOP
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 8
晶体管配置: 隔离式
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 1250 mW
最低工作温度: -55 °C
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 2
长度: 3.1mm
高度: 0.95mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 6 nC @ 4.5 V
典型输入电容值@Vds: 350 pF@ 15 V
典型关断延迟时间: 13.5 ns
典型接通延迟时间: 3.4 ns
尺寸: 3.1 x 3.1 x 0.95mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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