型号: ZXMD65P03N8TC
功能描述:
制造商: Diodes Inc.
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 4.8 A
配置: Dual Dual Drain
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Reel
下降时间: 6.4 ns
功率耗散: 2000 mW
上升时间: 6.4 ns
典型关闭延迟时间: 49.5 ns
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