型号:  ZXMHC3A01T8TA

功能描述:   Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.1A/2.3A 8-Pin SM8 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.7A, 2A

Rds（最大）@ ID，VGS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.9nC @ 15V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  190pF @ 25V

功率 - 最大：  1.3W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-223-8

供应商器件封装：  SM8

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SM8

渠道类型：  N|P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  3.1@N Channel|2.3@P Channel A

RDS -于：  120@10V@N Channel|210@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  1.7@N Channel|1.2@P Channel ns

典型上升时间：  2.3 ns

典型关闭延迟时间：  6.6@N Channel|12.1@P Channel ns

典型下降时间：  2.9@N Channel|7.5@P Channel ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最低工作温度：  -55

包装高度：  1.6(Max)

最大功率耗散：  1700

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  120@10V@N Channel|210@10V@P Channel

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  4

包装宽度：  3.7(Max)

供应商封装形式：  SM8

包装长度：  6.7(Max)

PCB：  8

最大连续漏极电流：  3.1@N Channel|2.3@P Channel

引脚数：  8

P（ TOT ）：  1.7W

匹配代码：  ZXMHC3A01T8TA

LogicLevel：  NO

单位包：  1000

标准的提前期：  12 weeks

最小起订量：  1000

无铅Defin：  RoHS-conform

汽车：  NO

我（D ）：  2.3A

V（ DS ）：  30V

技术：  H-Bridge

的RDS（on ） at10V：  0.335Ohm

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.7A, 2A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

供应商设备封装：  SM8

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：  2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

功率 - 最大：  1.3W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  190pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.9nC @ 15V

封装/外壳：  SOT-223-8

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  ZXMHC3A01T8CT

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N and P-Channel

配置：  Quad

连续漏极电流：  3.1 A, - 2.3 A

安装风格：  SMD/SMT

功率耗散：  1.3 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SM-8

上升时间：  2.3 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V, - 30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  2.3 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V