型号:  ZXMHN6A07T8TA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  4 N-Channel (H-Bridge)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  1.4A

Rds（最大）@ ID，VGS：  300 mOhm @ 1.8A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.2nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  166pF @ 40V

功率 - 最大：  1.1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-223-8

供应商器件封装：  SM8

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SM8

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  1.6 A

RDS -于：  300@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  1.8 ns

典型上升时间：  1.4 ns

典型关闭延迟时间：  4.9 ns

典型下降时间：  2 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最低工作温度：  -55

包装高度：  1.6(Max)

最大功率耗散：  1600

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  300@10V

最大漏源电压：  60

每个芯片的元件数：  4

包装宽度：  3.7(Max)

供应商封装形式：  SM8

包装长度：  6.7(Max)

PCB：  8

最大连续漏极电流：  1.6

引脚数：  8

P（ TOT ）：  1.7W

匹配代码：  ZXMHN6A07T8TA

单位包：  1000

标准的提前期：  16 weeks

最小起订量：  1000

无铅Defin：  RoHS-conform

汽车：  NO

我（D ）：  1.8A

V（ DS ）：  60V

技术：  4xN-CH

的RDS（on ） at10V：  0.300Ohm

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  1.4A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

供应商设备封装：  SM8

其他名称：  ZXMHN6A07T8TA-ND

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  300 mOhm @ 1.8A, 10V

FET型：  4 N-Channel (H-Bridge)

功率 - 最大：  1.1W

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  166pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.2nC @ 10V

封装/外壳：  SOT-223-8

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Quad Dual Drain Dual Source

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  1.6 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  300 mOhms

功率耗散：  1600 mW

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SM-8

上升时间：  1.4 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  60 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  1.4 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.3 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SM8

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  4

工作温度分类：  Military