型号:  ZXMHC6A07T8TA

功能描述:  MOSFET 60V UMOS H-Bridge

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SM-8

通道数量:  4 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  1.8 A, 1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  300 mOhms, 425 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  3.2 nC, 5.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.3 W

配置:  Quad

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.6 mm

长度:  6.7 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  ZXMHC6A

晶体管类型:  2 N-Channel, 2 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  3.7 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  2.3 S, 1.8 S

下降时间:  2 ns, 5.8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1.4 ns, 2.3 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  4.9 ns, 13 ns

典型接通延迟时间:  1.8 ns, 1.6 ns

单位重量:  74 mg