型号:  ZXMN10A09KTC

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  85 mOhm @ 4.6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  26nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1313pF @ 50V

功率 - 最大：  2.15W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  TO-252-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3DPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  100 V

最大连续漏极电流：  7.7 A

RDS -于：  85@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  6.8 ns

典型上升时间：  5.3 ns

典型关闭延迟时间：  27.5 ns

典型下降时间：  12.3 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  6.22(Max)

PCB：  2

最大功率耗散：  10100

最大漏源电压：  100

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  85@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  DPAK

标准包装名称：  DPAK

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  6.73(Max)

引脚数：  3

包装高度：  2.39(Max)

最大连续漏极电流：  7.7

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

P（ TOT ）：  10.1W

匹配代码：  ZXMN10A09KTC

LogicLevel：  NO

单位包：  2500

标准的提前期：  16 weeks

最小起订量：  2500

无铅Defin：  RoHS-conform

汽车：  NO

我（D ）：  7.7A

V（ DS ）：  100V

的RDS（on ） at10V：  0.085Ohm

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 250µA

供应商设备封装：  TO-252-3

其他名称：  ZXMN10A09KTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  85 mOhm @ 4.6A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2.15W

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1313pF @ 50V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  26nC @ 10V

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  2500

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  7.7 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  100 mOhms

功率耗散：  10.1 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  TO-252

上升时间：  5.3 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  100 V

RoHS：  In Transition

下降时间：  12.3 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.085 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  DPAK