型号:  ZXMN2088DE6TA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 6-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

包装：  6SOT-23

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  2.1 A

RDS -于：  200@4.5V mOhm

最大门源电压：  ±8 V

典型导通延迟时间：  2 ns

典型上升时间：  3.2 ns

典型关闭延迟时间：  12.7 ns

典型下降时间：  6.2 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

RoHS：  RoHS Compliant

封装：  Reel

单位包：  3000

最小起订量：  3000

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  1.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  SOT-23-6

其他名称：  ZXMN2088DE6TADI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  200 mOhm @ 1A, 4.5V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  900mW

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  279pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.8nC @ 4.5V

封装/外壳：  SOT-23-6

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

连续漏极电流：  2.1 A

栅源电压（最大值）：  �8 V

功率耗散：  1.3 W

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOT-23

引脚数：  6

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  20 V

弧度硬化：  No