型号:  ZXMN3A01E6TA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 3A 6-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.4A

Rds（最大）@ ID，VGS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.9nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  190pF @ 25V

功率 - 最大：  1.1W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-23-6

供应商器件封装：  SOT-23-6

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6SOT-23

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  3 A

RDS -于：  120@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  1.7 ns

典型上升时间：  2.3 ns

典型关闭延迟时间：  6.6 ns

典型下降时间：  2.9 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  1.8(Max)

PCB：  6

最大功率耗散：  1700

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  120@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOT-23

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  3.1(Max)

引脚数：  6

包装高度：  1.3(Max)

最大连续漏极电流：  3

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

P（ TOT ）：  1.1W

匹配代码：  ZXMN3A01E6

单位包：  3000

标准的提前期：  99 weeks

最小起订量：  3000

极化：  N-CHANNEL

无铅Defin：  RoHS-conform

我（D ）：  3A

V（ DS ）：  30V

R（ DS上）：  0.12Ohm

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.4A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  SOT-23-6

其他名称：  ZXMN3A01E6TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.1W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  190pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.9nC @ 10V

封装/外壳：  SOT-23-6

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single Quad Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  3 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  180 mOhms

功率耗散：  1.1 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOT-23-6

上升时间：  2.3 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  In Transition

下降时间：  2.3 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.12 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOT-23

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military