型号:  ZXMN3AMCTA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin DFN EP T/R

制造商:  diodes, inc

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.9nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  190pF @ 25V

功率 - 最大：  1.5W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装：  8-DFN (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16697?mpart=ZXMN3AMCTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  8DFN EP

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  3.7 A

RDS -于：  120@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  1.7 ns

典型上升时间：  2.3 ns

典型关闭延迟时间：  6.6 ns

典型下降时间：  2.9 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

产品种类：  MOSFET

RoHS：  RoHS Compliant

封装：  Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  2

PCB：  8

最大功率耗散：  2450

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  120@10V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  DFN EP

标准包装名称：  DFN

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  3

引脚数：  8

包装高度：  0.78

最大连续漏极电流：  3.7

铅形状：  No Lead

单位包：  3000

最小起订量：  3000

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.9A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

供应商设备封装：  8-DFN (3x2)

其他名称：  ZXMN3AMCTATR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  1.5W

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  190pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.9nC @ 10V

封装/外壳：  8-WDFN Exposed Pad

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

连续漏极电流：  3.7 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  2.45 W

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  30 V