型号:  ZXMN6A08E6QTA

功能描述:   MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

制造商:  Diodes Incorporated

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

封装/外壳：  SOT-23-6

供应商设备封装：  SOT-26

其他名称：  ZXMN6A08E6QTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  80 mOhm @ 4.8A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.1W

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.8A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：  459pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  5.8nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：  60 V

晶体管极性：  N-Channel

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：  1 V

Qg - Gate Charge：  5.8 nC

Vgs - Gate-Source Voltage：  20 V

下降时间：  4.6 ns

品牌：  Diodes Incorporated

通道数：  1 Channel

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

晶体管类型：  1 N-Channel

正向跨导 - 闵：  6.6 S

Id - Continuous Drain Current：  2.5 A

Rds On - Drain-Source Resistance：  150 mOhms

RoHS：  RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：  12.3 ns

通道模式：  Enhancement

系列：  ZXMN6

安装风格：  SMD/SMT

最低工作温度：  - 55 C

Pd - Power Dissipation：  8.8 W

上升时间：  2.1 ns

技术：  Si