型号:  ZXMN6A08KTC

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 60V 7.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  5.36A

Rds（最大）@ ID，VGS：  80 mOhm @ 4.8A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  5.8nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  459pF @ 40V

功率 - 最大：  2.12W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  TO-252-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3DPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  7.9 A

RDS -于：  80@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  2.6 ns

典型上升时间：  2.1 ns

典型关闭延迟时间：  12.3 ns

典型下降时间：  4.6 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  6.1

PCB：  2

最大功率耗散：  8940

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  80@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  DPAK

标准包装名称：  TO-252

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  6.58

引脚数：  3

包装高度：  2.29

最大连续漏极电流：  7.9

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  5.36A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

供应商设备封装：  TO-252-3

其他名称：  ZXMN6A08KTCTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  80 mOhm @ 4.8A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2.12W

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  459pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  5.8nC @ 10V

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

RoHS：  RoHS Compliant

连续漏极电流：  7.9 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  0.08 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-252

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military