型号: ZXMN6A09DN8TA/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin SOIC T/R
制造商: diodes, inc
包装： 8SOIC
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 60 V
最大连续漏极电流： 5.6 A
RDS -于： 40@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 4.9 ns
典型上升时间： 5 ns
典型关闭延迟时间： 25.3 ns
典型下降时间： 4.6 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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