型号:  ZXMN6A09KTC

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 60V 11.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  7.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：  40 mOhm @ 7.3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  29nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1426pF @ 30V

功率 - 最大：  2.15W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  TO-252-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3DPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  11.8 A

RDS -于：  40@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  4.8 ns

典型上升时间：  4.6 ns

典型关闭延迟时间：  32.5 ns

典型下降时间：  14.5 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

产品种类：  MOSFET

RoHS：  In Transition

晶体管极性：  N-Channel

漏源击穿电压：  60 V

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  11.2 A

抗漏源极RDS （ ON）：  40 mOhms

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  TO-252

封装：  Reel

下降时间：  14.5 ns

最低工作温度：  - 55 C

功率耗散：  10.1 W

上升时间：  4.6 ns

工厂包装数量：  2500

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  6.22(Max)

PCB：  2

最大功率耗散：  10100

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  40@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  DPAK

标准包装名称：  DPAK

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  6.73(Max)

引脚数：  3

包装高度：  2.39(Max)

最大连续漏极电流：  11.8

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

P（ TOT ）：  10.1W

匹配代码：  ZXMN6A09KTC

LogicLevel：  YES

单位包：  2500

标准的提前期：  16 weeks

最小起订量：  2500

Q（克）：  15nC

LLRDS （上）：  0.060Ohm

汽车：  AEC-Q(100)

LLRDS （上）在：  4.5V

我（D ）：  12.2A

V（ DS ）：  60V

的RDS（on ） at10V：  0.040Ohm

无铅Defin：  RoHS-conform

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  7.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

供应商设备封装：  TO-252-3

其他名称：  ZXMN6A09KTCTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  40 mOhm @ 7.3A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2.15W

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1426pF @ 30V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  29nC @ 10V

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63