型号:  ZXMN6A11DN8TC

功能描述:   MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS

制造商:  Diodes Inc. / Zetex

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  5.7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  330pF @ 40V

功率 - 最大：  1.25W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

产品种类：  MOSFET

RoHS：  RoHS Compliant

晶体管极性：  N-Channel

漏源击穿电压：  60 V

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  3.2 A

抗漏源极RDS （ ON）：  0.18 Ohms

配置：  Dual Dual Drain

最高工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  SO-8

封装：  Reel

下降时间：  3.5 ns

最低工作温度：  - 55 C

功率耗散：  1.25 W

上升时间：  3.5 ns

工厂包装数量：  2500

典型关闭延迟时间：  8.2 ns

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.5A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SOP

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  120 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  1.25W

标准包装：  2,500

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  330pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  5.7nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant