型号: ZXMN6A09GTA
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 7.5A
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 24.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.9 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.65 mm
长度: 6.7 mm
系列: ZXMN6A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.7 mm
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 15 mS
下降时间: 4.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25.3 ns
典型接通延迟时间: 4.9 ns
单位重量: 112 mg
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