型号: ZXMN6A09DN8TA
功能描述: MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 5.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 1.5 mm
长度: 5 mm
系列: ZXMN6A
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 4 mm
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 4.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25.3 ns
典型接通延迟时间: 4.9 ns
单位重量: 74 mg
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