型号:  ZXMN6A25KTC

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列:  ZXMN

高度:  2.39 mm

长度:  6.73 mm

宽度:  6.22 mm

最大工作温度:  + 150 C

最小工作温度:  - 55 C

安装风格:  SMD/SMT

配置:  Single

下降时间:  10.6 ns

典型接通延迟时间:  3.8 ns

上升时间:  4 ns

Vgs-栅极-源极电压:  20 V

Pd-功率耗散:  2.11 W

通道数量:  1 Channel

Id-连续漏极电流:  10.7 A

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

晶体管类型:  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻:  50 mOhms

通道模式:  Enhancement

晶体管极性:  N-Channel

典型关闭延迟时间:  26.2 ns

FET类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）:  7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）:  3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  20.4nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:  1063pF @ 30V

Vgs（最大值）:  ±20V

功率耗散（最大值）:  2.11W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）:  50 毫欧 @ 3.6A，10V

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装

封装/外壳:  TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

封装形式Package:  DPAK

极性Polarity:  N-CH

漏源极击穿电压VDSS:  60V

连续漏极电流ID:  10.7A

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs