型号:  ZXMP3F30FHTA

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

包装：  3SOT-23

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  3.4 A

RDS -于：  80@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  1.3 ns

典型上升时间：  2.6 ns

典型关闭延迟时间：  49 ns

典型下降时间：  22 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

单位包：  3000

最小起订量：  3000

FET特点：  Logic Level Gate, 4.5V Drive

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.8A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：  SOT-23

其他名称：  ZXMP3F30FHTADI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  80 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  950mW

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  370pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  7nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

RoHS：  RoHS Compliant

连续漏极电流：  3.4 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  1.4 W

漏源导通电阻：  0.08 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOT-23

引脚数：  3

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  30 V

弧度硬化：  No