型号:  ZXMP6A13FQTA

功能描述:   MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3

制造商:  Diodes Incorporated

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3V @ 250µA

系列：  *

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：  SOT-23

其他名称：  ZXMP6A13FQTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  400 mOhm @ 900mA, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  625mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  900mA (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：  219pF @ 30V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  2.9nC @ 4.5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：  - 60 V

晶体管极性：  P-Channel

Vgs - Gate-Source Voltage：  +/- 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：  - 3 V

Qg - Gate Charge：  2.9 nC

下降时间：  5.7 ns

品牌：  Diodes Incorporated

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

正向跨导 - 闵：  1.8 S

Id - Continuous Drain Current：  - 1.1 A

Rds On - Drain-Source Resistance：  400 mOhms

RoHS：  RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：  11.2 ns

通道模式：  Enhancement

安装风格：  SMD/SMT

最低工作温度：  - 55 C

Pd - Power Dissipation：  806 mW

上升时间：  2.2 ns

技术：  Si