型号:  ZXMP6A17GQTA

功能描述:   MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

制造商:  Diodes Incorporated

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：  SOT-223

其他名称：  ZXMP6A17GQTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  125 mOhm @ 2.2A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2W

标准包装：  1,000

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：  637pF @ 30V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  17.7nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：  - 60 V

晶体管极性：  P-Channel

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：  - 1 V

Qg - Gate Charge：  17.7 nC

Vgs - Gate-Source Voltage：  20 V

下降时间：  11.3 ns

安装风格：  SMD/SMT

品牌：  Diodes Incorporated

通道数：  1 Channel

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

晶体管类型：  1 P-Channel

正向跨导 - 闵：  4.7 S

Id - Continuous Drain Current：  - 3.5 A

Rds On - Drain-Source Resistance：  190 mOhms

RoHS：  RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：  26.2 ns

通道模式：  Enhancement

系列：  ZXMP6

最低工作温度：  - 55 C

Pd - Power Dissipation：  16 W

上升时间：  3.4 ns

技术：  Si

包装：  SOT223

汽车：  AEC-Q(101)

I(D)at Tc=25°C：  -4,1 A

Fast bodydiode：  NO

RDS(on)at 10V：  125 mOhm

V（ DS ）：  -60 V

Leadfree Defin：  RoHS-conform

Configuartion：  P-CH