型号:  ZXMP6A17N8TC

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 60V 3.42A 8-Pin SO T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.7A

Rds（最大）@ ID，VGS：  125 mOhm @ 2.3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  17.7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  637pF @ 30V

功率 - 最大：  1.56W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SO

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  3.42 A

RDS -于：  125@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  2.6 ns

典型上升时间：  3.4 ns

典型关闭延迟时间：  26.2 ns

典型下降时间：  11.3 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  4(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  2500

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  125@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SO

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

包装长度：  5(Max)

引脚数：  8

包装高度：  1.5(Max)

最大连续漏极电流：  3.42

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

单位包：  2500

最小起订量：  2500

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

供应商设备封装：  8-SOP

其他名称：  ZXMP6A17N8TCTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  125 mOhm @ 2.3A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.56W

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  637pF @ 30V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  17.7nC @ 10V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

晶体管极性：  P-Channel

源极击穿电压：  20 V

连续漏极电流：  - 2.7 A

正向跨导 - 闵：  4.7 S

RDS（ON）：  125 mOhms

功率耗散：  1.56 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOIC-8

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 60 V