型号:  ZXMS6005DN8Q-13

功能描述:  MOSFET Low Side IntelliFET

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  1.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  350 mOhms, 350 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  700 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

Qg-栅极电荷:  -

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 125 C

Pd-功率耗散:  1.56 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  15 us

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 us

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  45 us

典型接通延迟时间:  5 us

单位重量:  74 mg