型号: ZXTDC3M832TA
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
晶体管类型: NPN，PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 4A，3A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V，40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 320mV @ 200mA，4A / 370mV @ 250mA，2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）: 25nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 2A，2V / 60 @ 1.5A，2V
功率 - 最大值: 1W
频率 - 跃迁: 165MHz，190MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 8-MLP（3x2）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：陈敏
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Q Q:
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