型号:  ZXTP749FTA

功能描述:   Trans GP BJT PNP 25V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

制造商:  diodes, inc

标准包装：  3,000

晶体管类型：  PNP

集电极电流（Ic）（最大）：  3A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  25V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  350mV @ 300mA, 3A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  200 @ 100mA, 2V

功率 - 最大：  725mW

频率转换：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  PNP Transistors###/catalog/en/partgroup/pnp-transistors/15177?mpart=ZXTP749FTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  3SOT-23

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  25 V

集电极最大直流电流：  3 A

最小直流电流增益：  200@100mA@2V|130@1A@2V|100@2A@2V|25@6A@2V

最大集电极发射极饱和电压：  0.15@100mA@1A|0.35@300mA@3A V

最大集电极基极电压：  35 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  725 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

单位包：  3000

最小起订量：  3000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  3A

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Surface Mount

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  350mV @ 300mA, 3A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  25V

供应商设备封装：  SOT-23-3

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  725mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 100mA, 2V

其他名称：  ZXTP749FTATR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  7 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  25 V

安装风格：  SMD/SMT

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  3 A