2DB1132P-13规格参数_2DB1132P-13全国代理商/分销商

型号: 2DB1132P-13
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 32 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 1 A
增益带宽产品fT: 190 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: 2DB11
高度: 1.5 mm
长度: 4.5 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 2.48 mm
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 82
Pd-功率耗散: 1000 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 52 mg