型号: 2N7002E,215
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 385mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 0.69nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 50pF @ 10V
功率 - 最大值： 830mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）
其它名称： 2N7002E T/R2N7002E T/R-ND2N7002E,215-ND568-4858-2934056996215
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Q Q:
