型号: 2N7002ED
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：340mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：5.3Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：双N沟道
制造商: AnBon(台湾安邦)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 340mA
栅源极阈值电压: 2.5V @ 1mA
漏源导通电阻: 5.3Ω @ 200mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW
类型: 双N沟道
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