型号: 2SA1162GRT5LFT
功能描述:
制造商: Toshiba
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性: PNP
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: S-Mini
封装: Reel
集电极连续电流: - 150 mA
功率耗散: 150 mW
工厂包装数量: 3000
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