型号: 2SA1179N6-TB-E
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 135 @ 1mA，6V
功率 - 最大值： 200mW
频率 - 跃迁： 180MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： 3-CP
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
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联系人：连
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联系人：梅良东
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