型号: 2SJ649-AZ
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 38nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1900pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 48 毫欧 @ 10A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220 隔离的标片
封装/外壳: TO-220-3 隔离片
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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