型号: 2SK3565,S5Q(J
功能描述: Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3565,S5Q(J, 5 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 5 A
最大漏源电压: 900 V
最大漏源电阻值: 2.5 0hms
最大栅阈值电压: 4V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: SC-67
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
最大功率耗散: 45 W
系列: 2SK
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 28 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 1150 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 170 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
宽度: 4.5mm
每片芯片元件数目: 1
最高工作温度: +150 °C
尺寸: 10 x 4.5 x 15mm
长度: 10mm
高度: 15mm
正向二极管电压: 1.7V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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