型号: 2SK3762
功能描述: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
电流, Id 连续: 2.5A
电压, Vds 最大: 900V
在电阻RDS（上）: 6.4ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 62W
封装类型: TO-220AB
功率, Pd: 62W
封装类型: TO-220AB
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 900V
电流, Idm 脉冲: 7.5A
表面安装器件: 通孔安装
联系人：杨丹妮
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联系人：肖瑶，树平
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