型号: 2SK3798(Q,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.5 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 800pF @ 25V
功率 - 最大值： 40W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商器件封装： TO-220SIS
其它名称： 2SK3798(Q)2SK3798(Q)-ND2SK3798(QM)
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