型号: 2SK3878(F)
功能描述: Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3878(F), 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 9 A
最大漏源电压: 900 V
最大漏源电阻值: 1.3 0hms
最大栅阈值电压: 4V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: TO-3PN
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 150 W
典型输入电容值@Vds: 2200 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
系列: 2SK
每片芯片元件数目: 1
最低工作温度: -55 °C
宽度: 4.8mm
长度: 15.9mm
高度: 19mm
尺寸: 15.9 x 4.8 x 19mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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