型号:  2SK4003(Q)

功能描述:   MOSFET N-CH 600V 3A PW-MOLD

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  200

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  600V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  2.2 Ohm @ 1.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  15nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  600pF @ 25V

功率 - 最大：  20W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装：  PW-MOLD2

包装材料 ：  Bulk

类别：  Power MOSFET

通道模式：  Enhancement

渠道类型：  N

配置：  Single

外形尺寸：  6.5 x 2.3 x 5.5mm

身高：  5.5mm

长度：  6.5mm

最大连续漏极电流：  3 A

最大漏源电阻：  2.2 Ω

最大漏源电压：  600 V

最大门源电压：  ±30 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  20 W

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Through Hole

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  PW Mold2

引脚数：  3

典型栅极电荷@ VGS：  15 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  600 pF V @ 25

宽度：  2.3mm